半導體芯片涉及多少設備

　　半導體主要有四個組成部分：集成電路、光電子器材、分立器材和傳感器；集成電路是半導體工業(yè)的核心，占到了80%以上。集成電路包括邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片和mpu等。集成電路在性能、集成度、速度等方面的快速發(fā)展是以半導體物理、半導體器件、半導體制造工藝的發(fā)展為基礎的。
　　1、單晶爐設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續(xù)半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。

　　2、氣相外延爐，設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實現(xiàn)在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現(xiàn)功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對應的關系。

　　3、分子束外延系統(tǒng)，設備功能：分子束外延系統(tǒng)，提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術，它是在適當?shù)囊r底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。

　　4、氧化爐（VDF），設備功能：為半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現(xiàn)半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。

　　5、低壓化學氣相淀積系統(tǒng)（LPCVD），設備功能：把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCVD設備的反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜。

　　6、等離子體增強化學氣相淀積系統(tǒng)（PECVD），設備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。

　　7、磁控濺射臺（MSA），設備功能：通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

　　8、化學機械拋光機（CMP），設備功能：通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光

　　9、光刻機，設備功能：在半導體基材上（硅片）表面勻膠，將掩模版上的圖形轉移光刻膠上，把器件或電路結構臨時“復制”到硅片上。10、反應離子刻蝕系統(tǒng)（RIE），設備功能：平板電極間施加高頻電壓，產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實現(xiàn)化學反應刻蝕和物理撞擊，實現(xiàn)半導體的加工成型。

　　11、ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)，設備功能：一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，一方面等離子體中的活性基團與待刻蝕表面材料發(fā)生化學反應，生成可揮發(fā)產(chǎn)物；另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導和加速，實現(xiàn)對待刻蝕表面進行定向的腐蝕和加速腐蝕。

　　12、濕法刻蝕與清洗機，設備功能：濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術。清洗是為減少沾污,因沾污會影響器件性能,導致可靠性問題,降低成品率，這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進行徹底的清洗。

　　13、離子注入機（IBI），設備功能：對半導體表面附近區(qū)域進行摻雜。

　　14、探針測試臺，設備功能：通過探針與半導體器件的pad接觸，進行電學測試，檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。

　　15、晶片減薄機，設備功能：通過拋磨，把晶片厚度減薄。

　　16、晶圓劃片機（DS），設備功能：把晶圓，切割成小片的Die。

　　17、引線鍵合機（Wire Bonder），設備功能：把半導體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導電金屬線（金絲）鏈接起來。

　　以上內(nèi)容是贏家江恩工作人員從互聯(lián)網(wǎng)中總結出來的一些涉及半導體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)加工設備，半導體產(chǎn)業(yè)可能是我們很長一段時間都在關注的事情，目前國際上對我們的高精端設備的管控越來越嚴，自力更生成為我們必走之路，希望我們國家的半導體產(chǎn)業(yè)盡快達到國際一流，也希望此篇文章能給您帶來一定的答案。